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真空斷路器的概述介紹

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[概要描述]高壓真空斷路器”因其滅弧介質(zhì)和滅弧后觸頭間隙的絕緣介質(zhì)都是高真空而得名;其具有體積小、重量輕、適用于頻繁操作、滅弧不用檢修的優(yōu)點(diǎn),在配電網(wǎng)中應(yīng)用較為普及。發(fā)展簡(jiǎn)史 1893年,美國(guó)的里頓豪斯提出了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的真空滅弧室,并獲得了設(shè)計(jì)專利。1920年瑞典佛加公司第一次制成了真空開(kāi)關(guān)。1926年等公布的研究成果也顯示

高壓真空斷路器”因其滅弧介質(zhì)和滅弧后觸頭間隙的絕緣介質(zhì)都是高真空而得名;其具有體積小、重量輕、適用于頻繁操作、滅弧不用檢修的優(yōu)點(diǎn),在配電網(wǎng)中應(yīng)用較為普及。發(fā)展簡(jiǎn)史 1893年,美國(guó)的里頓豪斯提出了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的真空滅弧室,并獲得了設(shè)計(jì)專利。1920年瑞典佛加公司第一次制成了真空開(kāi)關(guān)。1926年等公布的研究成果也顯示了在真空中分?jǐn)嚯娏鞯目赡苄?,但因分?jǐn)嗄芰π。质艿秸婵占夹g(shù)和真空材料發(fā)展水平的限制,尚不能投入實(shí)際使用。隨著真空技術(shù)的發(fā)展,50年代美國(guó)才制成第一批適用于切斷電容器組等特殊要求的真空開(kāi)關(guān),分?jǐn)嚯娏魃型T?千安的水平。由于真空材料冶煉技術(shù)上的進(jìn)步和真空開(kāi)關(guān)觸頭結(jié)構(gòu)研究上所取得的突破,1961年,開(kāi)始生產(chǎn)15千伏、分?jǐn)嚯娏鳛?2.5千安的真空斷路器。1966年試制成15千伏、26千安和31.5千安的真空斷路器,從而使真空斷路器進(jìn)入了高電壓、大容量的電力系統(tǒng)。80年代中期,真空斷路器的分?jǐn)嗄芰σ堰_(dá)100千安。 中國(guó)從1958年開(kāi)始研制真空開(kāi)關(guān),1960年西安交通大學(xué)和西安開(kāi)關(guān)整流器廠共同研制成第一批6.7千伏、分?jǐn)嗄芰?00安的真空開(kāi)關(guān);隨后又制成10千伏、分?jǐn)嗄芰?1.5千安的三相真空開(kāi)關(guān)。1969年華光電子管廠和西安高壓電器研究所制成了 10千伏、2千安單相快速真空開(kāi)關(guān)。70年代以后,中國(guó)已能獨(dú)立研制和生產(chǎn)各種規(guī)格的真空開(kāi)關(guān)。
真空斷路器通常可分多個(gè)電壓等級(jí)。低壓型一般用于防爆電氣使用。像煤礦等等。

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